新型等离子体蚀刻装置
授权
摘要
本实用新型涉及离子体蚀刻技术领域，公开了一种新型等离子体蚀刻装置，包括支撑基座和多个绝缘支撑柱，支撑基座的顶部对称开设有多个与绝缘支撑柱相匹配的条形孔，多个条形孔内均设有滑块且滑块的两端均穿过条形孔并向外延伸设置，多个绝缘支撑柱的底部均通过连接机构与滑块的顶部连接，多个条形孔内均设有定位杆，且定位杆的两端分别与条形孔的两侧壁固定连接，多个滑块分别与多个定位杆活动套设。本实用新型能够便捷地对多个绝缘支撑柱的位置进行调节，工作效率高，且便于对绝缘支撑柱进行安装和拆卸。
基本信息
专利标题 ：
新型等离子体蚀刻装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020281125.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-09
授权号 ：
CN211238181U
授权日 ：
2020-08-11
发明人 ：
龚旭周爱东
申请人 ：
江苏佰元鸿金属科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省盐城市东台市东台镇电子商务产业园龙光东路25号
代理机构 ：
南京苏博知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈婧
优先权 ：
CN202020281125.7
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01J37/32
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-08-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN211238181U.PDF
PDF下载
