等离子体蚀刻方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种以高精度在硅基板上形成沟槽，并边使该沟槽的肩部维持为圆形边可迅速地进行处理的蚀刻方法。在第一等离子体处理中，使用含有CHF3、CH2F2、CH3F等含氢氟代烃的气体，在沟槽部(110)的至少侧壁上形成堆积物(D)。在接下来的第二等离子体处理中，使用蚀刻气体对硅基板(101)进行等离子体蚀刻，形成沟槽(120)。通过第一等离子体处理形成的堆积物(D)发挥保护膜的作用，在沟槽(110)的侧壁附近，硅基板(101)的蚀刻率降低，所以形成的沟槽(120)的肩部(120a)被形成为具有圆形的曲面形状。
基本信息
专利标题 ：
等离子体蚀刻方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1815697A
申请号 ：
CN200610001540.7
公开（公告）日 ：
2006-08-09
申请日 ：
2006-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
清水昭贵冈广实
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200610001540.7
主分类号 ：
H01L21/3065
IPC分类号 ：
H01L21/3065 H01L21/76
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/3065
等离子腐蚀；活性离子腐蚀
法律状态
2017-03-08 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101707181869
IPC(主分类) : H01L 21/3065
专利号 : ZL2006100015407
申请日 : 20060120
授权公告日 : 20090715
终止日期 : 20160120
号牌文件序号 : 101707181869
IPC(主分类) : H01L 21/3065
专利号 : ZL2006100015407
申请日 : 20060120
授权公告日 : 20090715
终止日期 : 20160120
2009-07-15 ：
授权
2006-10-04 ：
实质审查的生效
2006-08-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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