等离子体蚀刻方法及等离子体蚀刻装置
专利权的终止
摘要
本发明提供一种对SiOC层选择性高的蚀刻SiC层的等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置。在作为被处理物的半导体晶片W表面上，由上侧依次形成SiOC层(101)、SiC层(102)、Cu配线层(103)，在SiCO层(101)上，形成为形成通路的开口部(111)。将该SiOC层(101)作为掩膜，将NF3/He/Ar的混合气体作为蚀刻气体，有选择地对SiC层(102)进行等离子体蚀刻，形成与开口部(111)连接的开口部(112)。
基本信息
专利标题 ：
等离子体蚀刻方法及等离子体蚀刻装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790628A
申请号 ：
CN200510114957.X
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-11-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
广瀬久
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200510114957.X
主分类号 ：
H01L21/311
IPC分类号 ：
H01L21/311
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
H01L21/311
绝缘层的刻蚀
法律状态
2017-01-04 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101695920411
IPC(主分类) : H01L 21/311
专利号 : ZL200510114957X
申请日 : 20051116
授权公告日 : 20081015
终止日期 : 20151116
号牌文件序号 : 101695920411
IPC(主分类) : H01L 21/311
专利号 : ZL200510114957X
申请日 : 20051116
授权公告日 : 20081015
终止日期 : 20151116
2008-10-15 ：
授权
2006-08-16 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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