等离子体蚀刻加工方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明公开一种等离子体加工方法，其通过使用含碳氟化合物的加工气体的等离子体加工目标对象。使用的碳氟化合物在分子内具有至少一个三键和至少一个以单键结合到与相邻碳原子形成三键的碳原子上的CF3基团，例如1，1，1，4，4，4-六氟-2-丁炔或1，1，1，4，4，5，5，5-八氟-2-戊炔。
基本信息
专利标题 ：
等离子体蚀刻加工方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101777492A
申请号 ：
CN200910222707.6
公开（公告）日 ：
2010-07-14
申请日 ：
2005-11-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
本田昌伸中村昌洋
申请人 ：
东京毅力科创株式会社;日本瑞翁株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200910222707.6
主分类号 ：
H01L21/311
IPC分类号 ：
H01L21/311 H01L21/314
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
H01L21/311
绝缘层的刻蚀
法律状态
2012-12-05 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101480748819
IPC(主分类) : H01L 21/311
专利申请号 : 2009102227076
申请公布日 : 20100714
号牌文件序号 : 101480748819
IPC(主分类) : H01L 21/311
专利申请号 : 2009102227076
申请公布日 : 20100714
2010-09-15 ：
实质审查的生效
号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101005741756
IPC(主分类) : H01L 21/311
专利申请号 : 2009102227076
申请日 : 20051103
号牌文件序号 : 101005741756
IPC(主分类) : H01L 21/311
专利申请号 : 2009102227076
申请日 : 20051103
2010-07-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
CN101777492A.PDF
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