监测蚀刻等离子体加工设备中等离子体状态的方法和装置

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

一种气体传感器和气体感测的方法，例如使用下游传感器元件来测定使用含卤素的等离子体和/或者含氧的等离子体的半导体蚀刻设备中的等离子体状态(如等离子体蚀刻终点)。这样的传感器元件能指示在由等离子体产生的高能气体物质如氟、氯、碘、溴、氧及其衍生物或者自由基存在的温度变化，并且相应地产生一个指示这样的温度变化的输出信号用于测定蚀刻等离子体加工设备中等离子体的状态。

基本信息

专利标题：

监测蚀刻等离子体加工设备中等离子体状态的方法和装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101427352A

申请号：

CN200680016778.5

公开（公告）日：

2009-05-06

申请日：

2006-03-15

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

陈英欣杰弗里·W·纽纳小弗朗克·迪梅奥陈世辉詹姆斯·韦尔奇杰弗里·F·罗德

申请人：

高级技术材料公司

申请人地址：

美国康涅狄格州

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

章社杲

优先权：

CN200680016778.5

主分类号：

H01L21/302

IPC分类号：

H01L21/302