一种静电吸盘组件及等离子体蚀刻设备

授权

摘要

本实用新型提供的一种静电吸盘组件及等离子体蚀刻设备，静电吸盘组件包括：静电吸盘，用于安装待蚀刻的晶圆；接地挂环，接地挂环套设在静电吸盘的外侧；基座，静电吸盘和接地挂环设置在基座上；其中，接地挂环包括外壁，基座和静电吸盘暴露出外壁，外壁上形成有倾斜角，倾斜角将喷射到其上的等离子体的方向改变为斜下方，加快了静电吸盘边缘处的气流下排速率。本实用新型通过倾斜角改变了喷射在其上的等离子体的方向，使得其方向朝下，以加快静电吸盘边缘处的气流下排速率，从而加快等离子体处理室中气体导出率，还减少了蚀刻时在静电吸盘边缘处以及接地环盖上沉积的残留物，从而降低残留物剥离对产品良率的影响。

基本信息

专利标题：

一种静电吸盘组件及等离子体蚀刻设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921168555.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-07-23

授权号：

CN210223990U

授权日：

2020-03-31

发明人：

薛荣华朱进刘家桦叶日铨

申请人：

德淮半导体有限公司

申请人地址：

江苏省淮安市淮阴区长江东路599号

代理机构：

上海思捷知识产权代理有限公司

代理人：

王宏婧

优先权：

CN201921168555.1

主分类号：

H01L21/683

IPC分类号：

H01L21/683 H01L21/67 H01J37/32