静电吸盘
授权
摘要

一种静电吸盘,包括:主体,主体包括中间区域和环绕中间区域的边缘区域;位于主体的中间区域中的第一电极和位于主体的边缘区域中的第二电极,第一电极上施加有第一直流电压,第二电极上施加有第二直流电压;控制检测单元,通过检测静电吸盘上的待吸附晶圆的状态控制所述第一直流电压和所述第二直流电压。通过控制单元检测晶圆的翘曲状态,当边缘向上翘曲的晶圆置于主体上时,控制第一直流电压小于第二直流电压,使得主体边缘区域产生的吸力大于中间区域产生的吸力,当边缘向下翘曲的晶圆置于主体上时,控制第一直流电压大于第二直流电压,使得主体中间区域产生的吸力大于边缘区域产生的吸力,从而使得翘曲的晶圆被牢固的吸附在主体表面。

基本信息
专利标题 :
静电吸盘
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921845103.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-10-30
授权号 :
CN210575889U
授权日 :
2020-05-19
发明人 :
蒋志超罗兴安胡淼龙张春雷
申请人 :
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 :
湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
代理机构 :
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
董琳
优先权 :
CN201921845103.2
主分类号 :
H01L21/683
IPC分类号 :
H01L21/683  H01L21/67  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2020-05-19 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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