评估晶片与静电吸盘之间的接触
公开
摘要
一种方法、非瞬态计算机可读介质和设备。该方法可包括：(a)引入在静电吸盘的负极的绝对值与静电吸盘的正极的绝对值之间的电压差，该引入在晶片由静电吸盘支撑并且被静电吸盘的一个或多个导电接触销接触时发生；(b)在开始电压差的引入之后的不同时间点处，由包括感测元件的静电传感器监测位于晶片的正面的测量点处的电荷，以提供监测结果；以及(c)基于监测结果来确定晶片与静电吸盘之间的接触的电参数。
基本信息
专利标题 ：
评估晶片与静电吸盘之间的接触
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114624272A
申请号 ：
CN202111493567.3
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A·浮士德Y·巴松G·埃坦Y·大卫
申请人 ：
应用材料以色列公司
申请人地址 ：
以色列瑞哈佛特市
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
侯颖媖
优先权 ：
CN202111493567.3
主分类号 ：
G01N23/2251
IPC分类号 ：
G01N23/2251 G01N33/00 G01R29/24 H01L21/683
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N23/00
利用波或粒子辐射来测试或分析材料，例如未包括在G01N3/00-G01N17/00、G01N 21/00 或G01N 22/00中的X射线或中子
G01N23/22
通过测量材料的二次发射
G01N23/225
利用电子或离子微探针
G01N23/2251
使用入射电子束，例如扫描电子显微镜
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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