本发明涉及微电子技术领域。本发明促进晶片刻蚀均匀的静电卡盘包括静电卡盘和配合在静电卡盘外圆周的聚焦环，聚焦环上设有与其一体的凸环。其中静电卡盘的上表面的直径大于待刻蚀的晶片的直径；凸环的下表面与静电卡盘的上表面相配合。本发明的优点和积极效果在于：所以待刻蚀的晶片的整体与于静电卡盘接触充分、均匀。静电卡盘可以通过自身的热量及氦气背吹的方式对晶片边缘进行有效的温度控制，提高了晶片边缘的温度的可控性。从而静电卡盘对待刻蚀的晶片的温度等各项功能的控制也非常均匀。同时静电卡盘和待刻蚀的晶片之间的阻抗更加稳定，晶片上通过射频RF形成的直流偏置(DC bias)更加均匀，产生更均匀的等离子体。