一种静电卡盘
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本发明涉及一种静电卡盘,包括绝缘层和基座,其特征在于,在绝缘层上设有由若干个圆形通路连通若干条对称布置的半径通路,最外圈的圆形通路至静电卡盘外边缘之间均匀布置若干条放射通路,放射通路与最外圈的圆形通路连通,在半径通路的中心交叉点设置有中心气孔,在放射通路与圆形通路的交接处设有外缘气孔。本发明的静电卡盘边缘部分的放射通路,有效地增加了边缘部分的气体的流通,确保了晶片边缘的温度可以足够的降低,实现晶片在整个平面内达到温度均匀。而让气体从中心气孔和若干边缘气孔同时流出,更快地扩散气体,提高了效率,又提高了温度的均匀性。
基本信息
专利标题 :
一种静电卡盘
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1937203A
申请号 :
CN200510126384.2
公开(公告)日 :
2007-03-28
申请日 :
2005-12-08
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
吉美爱
申请人 :
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请人地址 :
100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号
代理机构 :
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 :
蔡世英
优先权 :
CN200510126384.2
主分类号 :
H01L21/683
IPC分类号 :
H01L21/683
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2018-08-10 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 21/683
变更事项 : 专利权人
变更前 : 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
变更后 : 北京北方华创微电子装备有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
变更后 : 100176 北京经济技术开发区文昌大道8号
变更事项 : 专利权人
变更前 : 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
变更后 : 北京北方华创微电子装备有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
变更后 : 100176 北京经济技术开发区文昌大道8号
2008-05-14 :
授权
2007-05-23 :
实质审查的生效
2007-03-28 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN100388458C.PDF
PDF下载
2、
CN1937203A.PDF
PDF下载