静电卡盘
授权
摘要
本发明涉及蚀刻设备领域,其目的是提供一种静电卡盘,用于待蚀刻晶片的载台。所述静电卡盘包括绝缘层、金属基座和介于绝缘层与金属基座之间的加热层,在所述绝缘层和金属基座相贴合面的至少其中之一上设有凹槽,借助凹槽使绝缘层与金属基座组装在一起后界定出一个容纳室,该容纳室内安装加热层、加热层与绝缘层之间的第一粘接材料层、以及加热层与金属基座之间的第二粘接材料层,所述容纳室具有侧壁。其中在加热层的周围与侧壁之间或者所述侧壁的外侧套设有陶瓷环。本发明利用容纳室的侧壁和陶瓷环对加热层上下面的粘接材料层起到保护作用,防止被蚀刻气体所腐蚀,导致静电卡盘表面温度不均匀,各层粘接部件翘曲等影响静电卡盘使用寿命的问题。
基本信息
专利标题 :
静电卡盘
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN110890305A
申请号 :
CN201811048903.1
公开(公告)日 :
2020-03-17
申请日 :
2018-09-10
授权号 :
CN110890305B
授权日 :
2022-06-14
发明人 :
杨鹏远张玉利王建冲侯占杰唐娜娜韩玮琦黎远成荣吉平姜鑫
申请人 :
北京华卓精科科技股份有限公司
申请人地址 :
北京市大兴区北京经济技术开发区地盛北街1号院41号楼18层1802
代理机构 :
北京头头知识产权代理有限公司
代理人 :
刘锋
优先权 :
CN201811048903.1
主分类号 :
H01L21/683
IPC分类号 :
H01L21/683
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-06-14 :
授权
2021-11-16 :
著录事项变更
IPC(主分类) : H01L 21/683
变更事项 : 申请人
变更前 : 北京华卓精科科技股份有限公司
变更后 : 北京华卓精科科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区地盛北街1号院41号楼18层1802
变更后 : 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十街19号院2号楼2层(北京自贸试验区高端产业片区亦庄组团)
变更事项 : 申请人
变更前 : 北京华卓精科科技股份有限公司
变更后 : 北京华卓精科科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区地盛北街1号院41号楼18层1802
变更后 : 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十街19号院2号楼2层(北京自贸试验区高端产业片区亦庄组团)
2020-04-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/683
申请日 : 20180910
申请日 : 20180910
2020-03-17 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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