一种静电卡盘装置
授权
摘要
本实用新型涉及半导体晶片加工装置领域，具体而言，涉及一种静电卡盘装置。该静电卡盘装置的冷却气体孔内设有陶瓷塞，所述陶瓷塞设有多个孔径和孔深不同的气孔，使得在高射频功率的等离子体工艺环境下，冷却气体流经冷却气体孔时，能够有效防止电弧现象的产生，避免静电卡盘和晶圆受到损坏；其吸附层内设有气道，该气道可以防止等离子体直接进入到基座的内部，能够有效防止击穿气体产生电弧放电现象。
基本信息
专利标题 ：
一种静电卡盘装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022354451.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-21
授权号 ：
CN213936153U
授权日 ：
2021-08-10
发明人 ：
杨鹏远王建冲张玉利唐娜娜侯占杰王超星黎远成何宏庆樊文凤
申请人 ：
北京华卓精科科技股份有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区经济技术开发区经海路156号院10号楼4层
代理机构 ：
北京荟英捷创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王献茹
优先权 ：
CN202022354451.9
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683 H01J37/20 H01J37/32
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2021-08-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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