静电卡盘装置和温度控制方法
实质审查的生效
摘要

本申请公开一种静电卡盘装置和温度控制方法,静电卡盘装置,包括自下而上依次设置的装置基体、加热层以及绝缘吸附层,所述加热层中设置有至少两个主加热器,所述主加热器用于加热所述静电卡盘装置承载的晶圆,所述绝缘吸附层中设置有吸附电极,所述吸附电极用于吸附所述晶圆;所述静电卡盘装置还包括控制器,所述绝缘吸附层中还设置有多个补偿加热器,多个所述补偿加热器均与所述吸附电极绝缘设置,且多个所述补偿加热器均与所述控制器电连接,所述控制器用于控制各所述补偿加热器的开启或关断,以及控制各所述补偿加热器的功率。上述技术方案能够解决因目前被加工件上不同位置的温度可能存在偏差,导致被加工件的工艺均匀性较差的问题。

基本信息
专利标题 :
静电卡盘装置和温度控制方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114496889A
申请号 :
CN202210074039.2
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2022-01-21
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
刘建
申请人 :
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 :
北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 :
北京国昊天诚知识产权代理有限公司
代理人 :
兰天爵
优先权 :
CN202210074039.2
主分类号 :
H01L21/683
IPC分类号 :
H01L21/683  H01L21/67  G05D23/20  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/683
申请日 : 20220121
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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