多层静电卡盘组合件
授权
摘要
本申请案涉及多层静电卡盘组合件。描述了用以在晶片处理期间紧固和支撑晶片衬底的多层静电卡盘和相关方法，其中所述卡盘包含接地结构，所述接地结构包含接地层和接地引脚。
基本信息
专利标题 ：
多层静电卡盘组合件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021483706.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-24
授权号 ：
CN213366557U
授权日 ：
2021-06-04
发明人 ：
S·唐奈J·莱辛斯基陈俊泓刘研
申请人 ：
恩特格里斯公司
申请人地址 ：
美国马萨诸塞州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
顾晨昕
优先权 ：
CN202021483706.5
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2021-06-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN213366557U.PDF
PDF下载
