一种静电卡盘
授权
摘要

本实用新型涉及一种静电卡盘,包括基座和绝缘层,绝缘层设置在基座上;绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层,第一绝缘层位于第二绝缘层的上方;还包括电极层,电极层位于第一绝缘层和第二绝缘层之间,电极层包括若干分区,每个分区可独立对晶片进行吸附。本实用新型通过采用每个分区对晶片进行独立吸附,减小每次吸附的面积,从而减少气泡的形成,提升晶片的平整度,提升晶片的质量,防止晶片的破裂,提升晶片的合格率。

基本信息
专利标题 :
一种静电卡盘
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021313945.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-07-07
授权号 :
CN212991066U
授权日 :
2021-04-16
发明人 :
杨鹏远王建冲张玉利侯占杰王超星黎远成何宏庆樊文凤唐娜娜
申请人 :
北京华卓精科科技股份有限公司
申请人地址 :
北京市大兴区经济技术开发区经海路156号院10号楼4层
代理机构 :
北京荟英捷创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
陈亚英
优先权 :
CN202021313945.6
主分类号 :
H01L21/683
IPC分类号 :
H01L21/683  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2021-04-16 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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