静电吸盘及其制造方法
公开
摘要
一种构造E‑吸盘的方法包括：将至少一个沟槽形成到下基底中；将电极材料沉积到下基底上和至少一个沟槽中；从下基底去除多余的电极材料以在至少一个沟槽中留下电极材料从而形成电极；以及在下基底和电极上形成电介质，使得电极在下基底与上基底之间。将至少一个沟槽形成到下基底中形成了与至少一个沟槽相邻的至少一个支座部分，并且至少一个支座部分减少了从下基底去除多余的电极材料期间电极材料的表面凹陷。
基本信息
专利标题 ：
静电吸盘及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114521289A
申请号 ：
CN202080070187.6
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2020-09-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
帕特里克·马加维奥库尔特·英格利希凯文·帕塔斯恩斯基
申请人 ：
沃特洛电气制造公司
申请人地址 ：
美国密苏里州圣路易斯拉克兰路12001
代理机构 ：
北京汇思诚业知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘晔
优先权 ：
CN202080070187.6
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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