静电吸盘以及半导体制造装置
公开
摘要
本发明提供一种静电吸盘以及半导体制造装置，其能够提高处理对象物的面内温度分布的均匀性。具体而言，静电吸盘具备陶瓷电介体基板、基座板、加热器部，其特征为，加热器部具备具有多个辅助区的第1加热器元件，多个辅助区具有第1辅助区，第1辅助区具有因电流的流动而发热的辅助加热器线和向辅助加热器线供电的第1、第2辅助供电部，第1辅助区具有位于第1辅助区的中央的中央区域和位于中央区域的外侧的外周区域，第1辅助供电部及第2辅助供电部的至少任意一个设置于中央区域。
基本信息
专利标题 ：
静电吸盘以及半导体制造装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284198A
申请号 ：
CN202111122700.4
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-09-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
小野瑛人上藤淳平
申请人 ：
TOTO株式会社
申请人地址 ：
日本福冈县
代理机构 ：
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
李雪春
优先权 ：
CN202111122700.4
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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