含静电电容元件的半导体器件的制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种制造半导体集成电路器件的方法，其包括以下步骤，在栅极绝缘膜中形成一个矩形的宽Ｗ长Ｌ的开口，其中Ｗ≤Ｌ，通过使用包括烷基铝氢化物和氢的蒸气的选择性化学淀积在所述开口中淀积铝或以铝为主要成分的金属，以便制出具有长方体形状且高为Ｈ，Ｈ>Ｗ的下层电极；通过氧化下层电极的表面，在所述电容器下层电极的露出的表面上形成绝缘膜；在所述绝缘膜上形成一个电容器上部电极。
基本信息
专利标题 ：
含静电电容元件的半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1056955A
申请号 ：
CN91103576.1
公开（公告）日 ：
1991-12-11
申请日 ：
1991-05-31
授权号 ：
CN1040265C
授权日 ：
1998-10-14
发明人 ：
井上俊辅坂下幸彦中村佳夫菊池伸壌原浩
申请人 ：
佳能株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
马浩
优先权 ：
CN91103576.1
主分类号 ：
H01L27/00
IPC分类号 ：
H01L27/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
法律状态
2005-08-03 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-06-12 ：
其他有关事项
1998-10-14 ：
授权
1991-12-11 ：
公开
1991-10-16 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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