电容元件的制造方法、半导体装置的制造方法及半导体制造装置
专利权的视为放弃
摘要
本发明提供一种电容元件的制造方法，其特征在于：(a)在基板上形成绝缘膜，(b)在上述绝缘膜上形成下部电极层，(c)包括：第一工序(c1)，在不供给氧化性气体的状态下，向上述下部电极层上供给一种或多种有机金属材料气体和气化的有机溶剂中的至少一方；和第二工序(c2)，向上述下部电极层上同时供给有机金属材料气体和氧化性气体，通过在同一腔室内连续进行上述第一工序(c1)和上述第二工序(c2)，在上述下部电极层上形成电介质层，(d)在上述电介质层上形成上部电极层。
基本信息
专利标题 ：
电容元件的制造方法、半导体装置的制造方法及半导体制造装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101116183A
申请号 ：
CN200680004212.0
公开（公告）日 ：
2008-01-30
申请日 ：
2006-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
松本贤治
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200680004212.0
主分类号 ：
H01L21/822
IPC分类号 ：
H01L21/822 H01L21/316 H01L21/8246 H01L27/04 H01L27/105
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
法律状态
2011-12-28 ：
专利权的视为放弃
号牌文件类型代码 : 1606
号牌文件序号 : 101162109809
IPC(主分类) : H01L 21/822
专利申请号 : 2006800042120
放弃生效日 : 20080130
号牌文件序号 : 101162109809
IPC(主分类) : H01L 21/822
专利申请号 : 2006800042120
放弃生效日 : 20080130
2008-03-19 ：
实质审查的生效
2008-01-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN101116183A.PDF
PDF下载
