半导体元件及其制造方法
公开
摘要
在一个半导体元件中，由从半导体基片(1)的主面(2)渗入的横向限定的高掺杂区(3)和包围高掺杂区的低掺杂区构成的pn结，pn结在半导体基片(1)的主面(2)上，在高掺杂区(3)的边缘露出。高掺杂区(3)的边缘由保护区(6b)构成，其掺杂浓度以与主面(2)平行的方向以高掺杂区(3)对着pn结慢慢降低。由于邻近高掺杂区(3)的保护区(6b)有最大的渗入深度，并且保护区(6b)的最大渗入深度大于邻近的高掺杂区(3)的渗入深度，所以避免了pn结的表面击穿。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1034288A
申请号 ：
CN88107880.8
公开（公告）日 ：
1989-07-26
申请日 ：
1988-10-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
克里斯琴·C·阿巴斯彼得·罗格威勒
申请人 ：
BBC勃朗·勃威力有限公司
申请人地址 ：
瑞士巴登
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN88107880.8
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/91 H01L21/18
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法律状态
1989-07-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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