半导体元件及其制造方法
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

一种半导体元件的制造方法。首先,提供基底。基底上具有切割线,将基底划分为至少一个芯片。于基底中形成沟槽,沟槽位于预定形成焊垫的区域或焊垫与切割线之间的区域。然后,于沟槽的侧壁及底部的基底中形成下电极,并于基底上形成电容介电层与上电极,上电极填满沟槽。之后,于基底中形成掺杂区电连接下电极。继之,于基底上形成第一焊垫与第二焊垫,下电极经由掺杂区电连接至第一焊垫,上电极电连接至第二焊垫。由于电容器形成于焊垫下方或焊垫与切割线之间的基底中,可减少所占用的芯片面积。

基本信息
专利标题 :
半导体元件及其制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101005066A
申请号 :
CN200610005891.5
公开(公告)日 :
2007-07-25
申请日 :
2006-01-19
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
陈文吉陈东波艾世强
申请人 :
力晶半导体股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾新竹市
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
陶凤波
优先权 :
CN200610005891.5
主分类号 :
H01L27/02
IPC分类号 :
H01L27/02  H01L21/82  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2021-01-01 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 27/02
变更事项 : 专利权人
变更前 : 合肥晶合集成电路有限公司
变更后 : 合肥晶合集成电路股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
变更后 : 230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
2020-10-02 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 27/02
登记生效日 : 20200915
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 力晶科技股份有限公司
变更后权利人 : 合肥晶合集成电路有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 中国台湾新竹科学工业园区
变更后权利人 : 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
2020-06-19 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 27/02
登记生效日 : 20200529
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 力晶积成电子制造股份有限公司
变更后权利人 : 力晶科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 中国台湾新竹科学工业园区
变更后权利人 : 中国台湾新竹科学工业园区
2019-07-16 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 27/02
登记生效日 : 20190626
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 力晶科技股份有限公司
变更后权利人 : 力晶积成电子制造股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 中国台湾新竹科学工业园区
变更后权利人 : 中国台湾新竹科学工业园区
2010-12-01 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101048799947
IPC(主分类) : H01L 27/02
专利号 : ZL2006100058915
变更事项 : 专利权人
变更前 : 力晶半导体股份有限公司
变更后 : 力晶科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 中国台湾新竹市
变更后 : 中国台湾新竹科学工业园区
2009-05-06 :
授权
2007-09-19 :
实质审查的生效
2007-07-25 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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