半导体元件及其制造方法
授权
摘要
本发明提供一种半导体元件及其制造方法，具体涉及一种用在高电压下的晶体管元件中的蚀刻停止层，该蚀刻停止层为一电阻率大于10ohm－cm的高电阻薄膜，当栅极电压超过5V时，可用来预防漏电流及改善崩溃电压。本发明的高电压元件的制造方法，可相容于低电压元件及中等电压元件的制程。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1797786A
申请号 ：
CN200510124242.2
公开（公告）日 ：
2006-07-05
申请日 ：
2005-11-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈忠义关欣陈枝城叶任贤张启宣刘俊秀宋自强刘家玮张介亭
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200510124242.2
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336 H01L21/314
法律状态
2008-07-02 ：
授权
2006-08-30 ：
实质审查的生效
2006-07-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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