半导体元件以及半导体元件的制造方法
授权
摘要
本发明提供一种技术，能够提高利用了氮化镓衬底(GaN衬底)的半导体元件的制造性，同时在GaN衬底上形成平坦性及结晶性优越的氮化物类半导体层。准备上表面(10a)相对于(0001)面在<1－100>方向具有大于等于0.1°小于等于1.0°的偏移角度θ的氮化镓衬底(10)。并且，在GaN衬底(10)的上表面(10a)上层叠含有n型半导体层(11)的多个氮化物类半导体层，从而形成半导体激光器等的半导体元件。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件以及半导体元件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1783525A
申请号 ：
CN200510118514.8
公开（公告）日 ：
2006-06-07
申请日 ：
2005-10-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
大野彰仁竹见政义富田信之
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
浦柏明
优先权 ：
CN200510118514.8
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L29/04 H01L21/20 H01S5/00
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法律状态
2009-10-14 ：
授权
2006-08-02 ：
实质审查的生效
2006-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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