半导体元件和半导体元件的制造方法
公开
摘要
一种具有氮化镓的半导体元件，具备具有第1面的半导体层，所述第1面包括第1区域和作为由所述第1区域突出的带状的凸部或由所述第1区域凹陷的带状的凹部的第2区域，所述第1面之中，所述第1区域或所述第2区域的表面的至少一方，具有包含着与(000－1)晶面取向和(1－100)晶面取向不同的晶面取向的晶面。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件和半导体元件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114600248A
申请号 ：
CN202080074286.1
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-10-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
村川贤太郎
申请人 ：
京瓷株式会社
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
吴克鹏
优先权 ：
CN202080074286.1
主分类号 ：
H01L29/04
IPC分类号 ：
H01L29/04 H01L29/06 H01L29/45 H01L21/683 H01L21/28
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
