半导体元件及其制造方法
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摘要
本发明提供一种半导体元件及其制造方法，具体涉及一种具有高介电值栅极介电层的半导体元件制造过程中，抑制次氧化物形成的一种系统及方法。在一例子中，金属氧化物半导体晶体管是包含一栅极结构，包含一高介电值栅极介电层及一栅极电极。在此例子中，一氮化层覆盖于栅极上以于制造过程中防止氧进入结构中，然而需足够薄以于制造过程中具有效的穿透性；亦需足够厚以阻挡杂质渗透。本发明所述半导体元件及其制造方法，在半导体元件的制造过程中，可抑制次氧化层的形成。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1815756A
申请号 ：
CN200510135258.3
公开（公告）日 ：
2006-08-09
申请日 ：
2005-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王志豪陈尚志
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200510135258.3
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
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法律状态
2009-05-20 ：
授权
2006-10-04 ：
实质审查的生效
2006-08-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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