半导体元件及其制造方法
授权
摘要
一种半导体元件，其包括电路结构以及保护层。电路结构具有多个接点。保护层位于电路结构上，并且具有多个开口以及多个凸起物，其中这些开口暴露出这些接点，并且这些凸起物位于这些接点上。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101034691A
申请号 ：
CN200610057300.9
公开（公告）日 ：
2007-09-12
申请日 ：
2006-03-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王俊恒
申请人 ：
南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹县研发一路一号
代理机构 ：
北京连和连知识产权代理有限公司
代理人 ：
高翔
优先权 ：
CN200610057300.9
主分类号 ：
H01L23/485
IPC分类号 ：
H01L23/485 H01L21/60 H01L21/28
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/482
由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的
H01L23/485
包括导电层和绝缘层组成的层状结构，例如平面型触头
法律状态
2008-09-03 ：
授权
2007-11-07 ：
实质审查的生效
2007-09-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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