制造半导体元件的方法
撤回的专利申请
摘要
在一种用以制造在片状半导体衬底(4)和金属接触片(6)之间的合金接触的方法中，一种材料焊接合金层仅稍微进入半导体衬底(4)的内部，是通过各自加热半导体衬底(4)和接触片(6)的层结构和用真空中热辐射的方法及使用其面积大于层结构面积的板状加热元件(13、17)来实现。
基本信息
专利标题 ：
制造半导体元件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN88101860A
申请号 ：
CN88101860.0
公开（公告）日 ：
1988-10-19
申请日 ：
1988-03-31
授权号 ：
CN1007679B
授权日 ：
1990-04-18
发明人 ：
弗朗茨·克劳切克
申请人 ：
BBC勃朗·勃威力有限公司
申请人地址 ：
瑞士巴登
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN88101860.0
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 B23K1/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
1991-08-14 ：
撤回的专利申请
1990-04-18 ：
审定
1988-10-19 ：
公开
1988-09-21 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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