半导体元件与其制造方法
专利权的视为放弃
摘要
一种半导体元件及其制造方法。此制造方法先提供一基底，于基底中形成二个沟槽。之后，于各沟槽的侧壁上形成第一介电层，再于各沟槽中形成源极/漏极层。于基底与源极/漏极层上形成第二介电层。最后，于源极/漏极层间的第二介电层上形成一个栅极结构。由于源极/漏极结构与第一介电层配置于沟槽中，因此得以缩小元件的尺寸。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件与其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101005036A
申请号 ：
CN200610005892.X
公开（公告）日 ：
2007-07-25
申请日 ：
2006-01-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
络格荥钟武宗李宗裕
申请人 ：
力晶半导体股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610005892.X
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/78
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2009-12-16 ：
专利权的视为放弃
2007-09-19 ：
实质审查的生效
2007-07-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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