半导体元件及其制造方法

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摘要

本发明公开一种半导体元件及其制造方法。所述半导体元件包括基底、半导体纳米线、栅极结构、第一金属纳米线以及第二金属纳米线。半导体纳米线垂直配置于基底上。栅极结构环绕半导体纳米线的中间部分。第一金属纳米线位于半导体纳米线的一侧，且与半导体纳米线的下部部分电连接。第二金属纳米线位于半导体纳米线的另一侧，且与栅极结构电连接。

基本信息

专利标题：

半导体元件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109494249A

申请号：

CN201710811002.2

公开（公告）日：

2019-03-19

申请日：

2017-09-11

授权号：

CN109494249B

授权日：

2022-05-24

发明人：

李荣原陆俊岑陈冠宏

申请人：

联华电子股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陈小雯

优先权：

CN201710811002.2

主分类号：

H01L29/417

IPC分类号：

H01L29/417 H01L29/423 H01L29/78 H01L21/336 H01L21/28 B82Y30/00 B82Y40/00