半导体元件的制造方法
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摘要
本发明提出一种半导体元件的制造方法，该半导体元件具有浅型以及高掺杂浓度的源极/漏极区域。其制造方法包括：在基板上制造栅极电极；借由注入离子将该基板的源极/漏极区域转换为非晶状态；在上述源极/漏极区域注入离子，以执行同步注入工艺；注入一个或多个注入物，以制造低掺杂漏极(LDD)以及源极/漏极区域；以及将该基板再结晶。其中，用来形成LDD以及源极/漏极区域的离子的扩散被非晶化区域与同步注入区域有效地限制或降低。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1913112A
申请号 ：
CN200610008692.X
公开（公告）日 ：
2007-02-14
申请日 ：
2006-02-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈建豪聂俊峰李资良
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹县
代理机构 ：
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人 ：
王玉双
优先权 ：
CN200610008692.X
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/8238
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2009-03-18 ：
授权
2007-04-11 ：
实质审查的生效
2007-02-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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