半导体元件之制造方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
一种半导体元件之制造方法，其利用超临界流体，如二氧化碳(CO2)，来清洁形成于含硅介电材料层中之开口，并移除用以制造开口之蚀刻工艺中所产生之有机聚合残余物。上述之开口可为接触窗开口、介层窗开口或其它开口，且开口之剖面面积可小于0.2平方微米或0.1平方微米。于利用超临界流体进行清洁后，利用原子层化学气相沉积工艺来形成薄阻障层于开口中。形成导电材料层于阻障层上，用以提供超大规模集成电路(VLSI)元件具增进之接触电阻的接触结构。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件之制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1825562A
申请号 ：
CN200610002365.3
公开（公告）日 ：
2006-08-30
申请日 ：
2006-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
鲁定中曾鸿辉章勋明
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京连和连知识产权代理有限公司
代理人 ：
薛平
优先权 ：
CN200610002365.3
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2008-08-20 ：
发明专利申请公布后的驳回
2006-11-22 ：
实质审查的生效
2006-08-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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