半导体元件及其制造方法
公开
摘要
一种半导体元件及其制造方法，半导体元件包含第一介电层位于元件基底层之上，第一介电层有具第一侧壁的第一开口；第一内连部延伸通过第一开口；以及覆盖层位于第一内连部的上表面之上，其中覆盖层包含第一金属、碳、与氮。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496982A
申请号 ：
CN202110494680.7
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-05-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
摩尔·沙哈吉·B萨万特·钱德拉谢卡尔·普拉卡斯
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN202110494680.7
主分类号 ：
H01L23/528
IPC分类号 ：
H01L23/528 H01L23/532 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/528
互连结构的布置
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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