制造半导体元件的方法
授权
摘要
本发明是有关于制造半导体元件，特别是有关于使用一真空腔体来制造半导体元件。用于半导体制造的方法包含：提供一光阻层于一晶圆上；使用一真空腔体从光阻层上移除溶剂残渣物；以及对此晶圆进行曝光。
基本信息
专利标题 ：
制造半导体元件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828428A
申请号 ：
CN200610057843.0
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-03-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
施仁杰
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200610057843.0
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 H01L21/027 G03F7/40
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2009-11-11 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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