半导体元件及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供一种半导体元件及其制造方法。一P型带形/环形区是较佳沿着重掺杂源极/漏极区的沟道侧边缘形成，以中和N型态物质的扩散。一扩散阻滞区是通过至少实质上重叠或延伸出P型带形/环形区和N+源极/漏极区的沟道侧，以阻滞N型和P型掺杂物。本发明所述半导体元件及其制造方法可降低片电阻，亦可减少多晶硅栅极空乏效应，且导致较佳的栅极氧化膜耐压和起始电压控制。另外，扩散阻滞可达成高浓度的栅极、LDD区和N+源极/漏极区，且因此增加饱和电流。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1855540A
申请号 ：
CN200610001683.8
公开（公告）日 ：
2006-11-01
申请日 ：
2006-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈建豪聂俊峰麦凯玲李资良
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200610001683.8
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
相关图片
法律状态
2008-12-10 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-12-27 ：
实质审查的生效
2006-11-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1855540A.PDF
PDF下载
