半导体元件及其制造方法
专利权的终止
摘要
一种半导体元件，至少是由基底、闸极堆叠结构、掺杂区与高应力材料层所构成的。其中闸极堆叠结构位于基底上，且闸极堆叠结构至少包括由基底表面依序堆叠的介电层与闸极。掺杂区位于闸极堆叠结构侧边。高应力材料层配置在掺杂区上。由于高应力材料层可以提高掺杂区的载子迁移率，因此可加快元件的运作速度。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101009327A
申请号 ：
CN200610001958.8
公开（公告）日 ：
2007-08-01
申请日 ：
2006-01-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈冠博刘慕义
申请人 ：
旺宏电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200610001958.8
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
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法律状态
2022-01-07 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20060123
授权公告日 : 20100512
终止日期 : 20210123
申请日 : 20060123
授权公告日 : 20100512
终止日期 : 20210123
2010-05-12 ：
授权
2007-09-26 ：
实质审查的生效
2007-08-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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