半导体元件及其制造方法
公开
摘要
一种半导体元件及其制造方法，在一些实施方式中，一或多个半导体处理机台可形成三层堆叠多晶硅结构于半导体元件的基材上。此一或多个半导体处理机台可形成一或多个多晶硅基元件于半导体元件的基材上，其中三层堆叠多晶硅结构具有第一高度，第一高度大于一或多个多晶硅基元件的一或多个第二高度。此一或多个半导体处理机台可对半导体元件进行化学机械研磨(CMP)操作，其中进行化学机械研磨操作包含使用三层堆叠多晶硅结构作为化学机械研磨操作的终止层。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464683A
申请号 ：
CN202110307382.2
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-03-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
任啟中洪雅琪沈宇骏王舜能江文智
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN202110307382.2
主分类号 ：
H01L29/788
IPC分类号 ：
H01L29/788 H01L21/336 H01L21/306
法律状态
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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