半导体元件及其制造方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开一种半导体元件及其制造方法,其中该半导体元件结构包括基板。第一栅极绝缘层设置在所述基板上。第二栅极绝缘层设置在所述基板上,比所述第一栅极绝缘层厚且与第一栅极绝缘层相邻。栅极层具有第一部分栅极在所述第一栅极绝缘层上以及第二部分栅极在所述第二栅极绝缘层上。介电层具有上部介电层与下部介电层。所述上部介电层接触在所述栅极层上,且所述下部介电层接触在所述基板上。场板层设置在所述介电层上,且包含空乏区,至少设置在所述下部介电层上。

基本信息
专利标题 :
半导体元件及其制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114420749A
申请号 :
CN202011174734.3
公开(公告)日 :
2022-04-29
申请日 :
2020-10-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
方玲刚
申请人 :
联华电子股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾新竹市
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
陈小雯
优先权 :
CN202011174734.3
主分类号 :
H01L29/40
IPC分类号 :
H01L29/40  H01L29/78  H01L21/336  
法律状态
2022-05-20 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/40
申请日 : 20201028
2022-04-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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