静电防护器件及半导体器件
授权
摘要
本实用新型提供一种静电防护器件和半导体器件。该静电防护器件包括有源区，所述有源区呈矩形且设有至少一列接触孔，每列的多个所述接触孔沿第一方向间隔分布，所述第一方向平行于所述有源区的一侧边，各列所述接触孔沿垂直于所述第一方向的第二方向间隔分布；其中，每列的多个所述接触孔中，位于两端的两个所述接触孔的面积小于其余所述接触孔的面积。本实用新型中的静电防护器件补偿了由热导不均匀导致的温度分布的差异，有效提高了静电防护器件的静电防护能力，避免器件在浅沟槽拐角处失效。
基本信息
专利标题 ：
静电防护器件及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921459776.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-04
授权号 ：
CN210110765U
授权日 ：
2020-02-21
发明人 ：
马精瑞许杞安马燕春江文涌
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵倩
优先权 ：
CN201921459776.4
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2020-02-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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