半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装

授权

摘要

在一个实施例中公开了一种半导体器件，包括：发光结构，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、和设置在第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层；第一电极，与第一导电半导体层电连接；第二电极，与第二导电半导体层电连接；反射层，设置在第二电极上；以及覆盖层，设置在反射层上并包括多个层，其中，覆盖层包括直接设置在所述反射层上的第一层，并且第一层包括Ti。

基本信息

专利标题：

半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109923682A

申请号：

CN201780068543.9

公开（公告）日：

2019-06-21

申请日：

2017-11-03

授权号：

CN109923682B

授权日：

2022-05-03

发明人：

成演准姜基晩金珉成朴修益李容京李恩得林显修

申请人：

LG伊诺特有限公司

申请人地址：

韩国首尔市

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司

代理人：

石海霞

优先权：

CN201780068543.9

主分类号：

H01L33/02

IPC分类号：

H01L33/02 H01L33/36 H01L33/22 H01L33/48 H01L33/10 H01L33/42