半导体器件和包括半导体器件的半导体封装

授权

摘要

半导体器件包括：衬底，所述衬底具有单元区域和电路区域；所述衬底上的上布线层；以及所述上布线层上的再分配布线层。所述上布线层包括电路区域中的次上层布线和次上层布线上的最上层布线。所述最上层布线包括电连接到次上层布线的最上层芯片焊盘。所述最上层芯片焊盘的至少一部分在单元区域中。所述再分配布线层包括电连接到最上层芯片焊盘的再分配布线。所述再分配布线的至少一部分用作连接到外部连接器的连接焊盘。

基本信息

专利标题：

半导体器件和包括半导体器件的半导体封装

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN108010897A

申请号：

CN201711039002.1

公开（公告）日：

2018-05-08

申请日：

2017-10-30

授权号：

CN108010897B

授权日：

2022-06-10

发明人：

赵英喆安民守崔桢焕

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

倪斌

优先权：

CN201711039002.1

主分类号：

H01L23/488

IPC分类号：

H01L23/488 H01L23/528