半导体器件封装件
授权
摘要
一种半导体器件封装件，包括：树脂单元，具有第一通孔和第二通孔；导电体，设置在树脂单元上，并具有从导电体的顶表面向其底表面沿第一方向凹入的腔体；以及发光器件，设置在腔体内，其中导电体包括第一突起和第二突起，所述第一突起和第二突起从导电体的底表面沿第一方向突出，第一突起设置在第一通孔内，第二突起设置在所述第二通孔内，以及树脂单元的顶表面与导电体的底表面接触。本发明的半导体器件封装件具有优良散热特性，能够提高光提取效率，能够在封装件切割工艺期间抑制毛刺的发生。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件封装件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109427946A
申请号 ：
CN201811034004.6
公开（公告）日 ：
2019-03-05
申请日 ：
2018-09-05
授权号 ：
CN109427946B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
李高恩姜熙成金佳衍李莹俊陈敏智尹载畯
申请人 ：
LG伊诺特有限公司
申请人地址 ：
韩国首尔市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
李玉锁
优先权 ：
CN201811034004.6
主分类号 ：
H01L33/52
IPC分类号 ：
H01L33/52 H01L33/64
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2021-08-13 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : H01L 33/52
登记生效日 : 20210802
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : LG伊诺特有限公司
变更后权利人 : 苏州乐琻半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国首尔市
变更后权利人 : 江苏省苏州市太仓市常胜北路168号
登记生效日 : 20210802
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : LG伊诺特有限公司
变更后权利人 : 苏州乐琻半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国首尔市
变更后权利人 : 江苏省苏州市太仓市常胜北路168号
2019-08-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/52
申请日 : 20180905
申请日 : 20180905
2019-03-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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