半导体器件用封装

专利权的终止

摘要

提供厚度较薄且具有良好的盖章特性的半导体器件用封装。将容纳加速度传感器10等半导体器件的陶瓷容器20覆盖并密封的盖30A是在42合金板31表面设置了电泳涂漆32形成的。电泳涂漆32通过在100μm左右厚度的42合金板31的表面镀铬，并在该镀铬上形成黑色化合物得到的。盖30A由热固性树脂41固定在陶瓷容器20的侧壁部22的上部。热固性树脂41固化后的厚度调整为20～30μm。以往的陶瓷盖由于强度等原因，厚度必须为200μm以上，且激光加工很困难。通过使用该盖30A，厚度能够减半，且利用激光的盖章也变得容易。

基本信息

专利标题：

半导体器件用封装

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101409264A

申请号：

CN200810173393.0

公开（公告）日：

2009-04-15

申请日：

2005-09-29

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

猪野好彦

申请人：

冲电气工业株式会社

申请人地址：

日本东京

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

郭放

优先权：

CN200810173393.0

主分类号：

H01L23/02

IPC分类号：

H01L23/02 H01L23/06 G01P1/02 G01P15/00 G01P15/18 G01P15/12