半导体器件的封装结构
授权
摘要
本公开提供了一种半导体器件的封装结构。该封装结构包括：基板，基板的上表面上设置有凹槽，在凹槽的底表面上设置有焊接区域；半导体器件，设置在凹槽中；密封结构，被配置成在半导体器件的下表面和凹槽的底表面之间形成密闭空腔；导电凸块，设置在半导体器件的下表面的焊盘上，用于电连接到焊接区域中的焊盘；以及封装胶体，设置成覆盖半导体器件、密封结构和基板。根据本公开的半导体器件的封装结构，能够减小半导体器件的封装结构的尺寸并且降低半导体器件的封装结构的成本。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123409398.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
CN216451350U
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
唐滨赖志国杨清华
申请人 ：
苏州汉天下电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城东北区39幢
代理机构 ：
北京允天律师事务所
代理人 ：
李建航
优先权 ：
CN202123409398.9
主分类号 ：
H03H9/10
IPC分类号 ：
H03H9/10 H03H9/02 H03H9/17
法律状态
2022-05-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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