半导体器件的封装结构

授权

摘要

本实用新型涉及一种半导体器件的封装结构，包括底座，在底座上端表面开设有多个凹槽，多个凹槽呈环形排列，在底座上端表面设有散热管，散热管上端连接有半导体芯片，半导体芯片上端连接有导热板，导热板上端设有冷却装置。从半导体芯片的两侧引出有焊线，焊线的一端与焊接垫连接，焊接垫的一侧设有接线引脚。其中，冷却装置包括与导热板粘连的底板，在底板的上表面固定连接有多个连接管道，连接管道上设有散热板，在散热板上设有多个散热棒。本实用新型提出的半导体器件的封装结构，可实现有效散热，进而可延长半导体器件的使用寿命，有效避免了因过热导致装置损坏的问题。

基本信息

专利标题：

半导体器件的封装结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202022042021.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-09-17

授权号：

CN211788977U

授权日：

2020-10-27

发明人：

邬昌兴

申请人：

华东交通大学

申请人地址：

江西省南昌市经济技术开发区双港东大街808号

代理机构：

北京中济纬天专利代理有限公司

代理人：

黄攀

优先权：

CN202022042021.3

主分类号：

H01L23/31

IPC分类号：

H01L23/31 H01L23/367 H01L23/473