封装结构及其半导体器件
授权
摘要
公开了一种封装结构及其半导体器件，该封装结构包括：基座，用于支撑所述封装结构；支撑件，设置在所述基座的一侧并连接到所述基座；层叠体，设置在所述支撑件的远离所述基座的一侧，并且包括相互平行的多个芯片和多个间隔件；连接件，设置在层叠体的远离所述支撑件的一侧，并且与所述层叠体连接以将所述层叠体与外部电连接。本实施例的半导体封装结构可以实现稳定的浪涌能力，承受现场使用期间的典型环境应力，从而实现对户外通讯设备电源端的大功率雷击浪涌保护。
基本信息
专利标题 ：
封装结构及其半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922117084.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-29
授权号 ：
CN211529942U
授权日 ：
2020-09-18
发明人 ：
张环杨菲菲周继峰
申请人 ：
力特半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新区硕放振发六路3号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
张启程
优先权 ：
CN201922117084.8
主分类号 ：
H01L23/62
IPC分类号 ：
H01L23/62 H01L23/367 H01L29/861
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/62
防过电流或过电负荷保护装置，例如熔丝、分路器
法律状态
2020-09-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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