封装结构和半导体器件
授权
摘要
本实用新型揭示了一种封装结构和半导体器件，该封装结构包括：芯片单元，包括衬底以及位于衬底表面的客户层，定义所述客户层背离所述衬底的表面为第一表面，所述衬底背离所述客户层的表面为第二表面，所述客户层内形成有焊垫；焊接凸起，形成于芯片单元的第二表面；金属布线层，电性连接于所述焊垫和焊接凸起之间；绝缘层，形成于所述金属布线层和芯片单元之间，所述绝缘层包括依次形成于所述芯片单元表面的二氧化硅层和Si3N4层。本实用新型封装结构的绝缘层采用SiO2+Si3N4+环氧树脂三层结构，通过该种结构，不仅可以大大提高湿气的隔绝效果，且本身抗应力强度也大大提高。
基本信息
专利标题 ：
封装结构和半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020375074.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-23
授权号 ：
CN211555854U
授权日 ：
2020-09-22
发明人 ：
王蔚钱孝清杜鹏沈戌霖
申请人 ：
苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区汀兰巷29号
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
于保妹
优先权 ：
CN202020375074.4
主分类号 ：
H01L23/29
IPC分类号 ：
H01L23/29 H01L23/31 H01L23/538 H01L21/48 H01L21/78
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/29
按材料特点进行区分的
法律状态
2020-09-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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