功率型半导体器件封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种功率型半导体器件封装结构，该封装通过设置柔性导电层及双面覆导电层的绝缘板，E电极不直接作用于芯片组件上，芯片组件的电流通过柔性导电层到达E电极，芯片组件的热量以垂直方式通过柔性导电层向散热工质传导(例如向四周的电极传热)，且第一导电凸起来承接柔性导电层，分散了作用于芯片组件上的压应力，柔性导电层对芯片组件焊接面实现较小的压应力，避免了较大的压力直接作用在芯片组件表面，减少了芯片组件温度循环时高压应力条件下的三向应力损伤，提高了连接可靠性，实现压力与导电和导热的解耦，最终提高了功率型半导体器件封装结构可靠性。
基本信息
专利标题 ：
功率型半导体器件封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921638668.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-29
授权号 ：
CN210467812U
授权日 ：
2020-05-05
发明人 ：
邱宇峰李现兵赵志斌吴军民张朋张雷唐新灵
申请人 ：
全球能源互联网研究院有限公司
申请人地址 ：
北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
代理机构 ：
北京三聚阳光知识产权代理有限公司
代理人 ：
李亚南
优先权 ：
CN201921638668.3
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/498 H01L23/48 H01L23/49 H01L23/00 H01L25/18
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2020-05-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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