一种功率半导体器件的封装结构
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摘要
一种功率半导体器件的封装结构，属于功率半导体器件封装技术领域，该功率半导体器件的封装结构，包括封装体以及封装体内部由芯片、键合线、电路载体、引脚组成的内部电路和散热基板，芯片与引脚通过键合线连接，内部电路通过电路载体与散热基板实现绝缘隔离，本实用新型的有益效果是，该封装结构实现了功率半导体器件的内部绝缘，省去了应用安装时需要加装绝缘片的环节，提高了作业效率及安装良率，而且提高了功率半导体器件的散热性能。
基本信息
专利标题 ：
一种功率半导体器件的封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921706217.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-12
授权号 ：
CN210575922U
授权日 ：
2020-05-19
发明人 ：
龚秀友罗艳玲李锦秀王敬李盛稳
申请人 ：
芜湖启迪半导体有限公司
申请人地址 ：
安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803
代理机构 ：
芜湖安汇知识产权代理有限公司
代理人 ：
孟迪
优先权 ：
CN201921706217.9
主分类号 ：
H01L23/42
IPC分类号 ：
H01L23/42 H01L23/31 H01L23/367
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/42
为便于加热或冷却在容器里选择或配置的填料或辅助构件
法律状态
2020-05-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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