功率半导体器件和封装件
授权
摘要

本公开的实施例提供了一种功率半导体器件和封装件。该功率半导体器件包括第一裸片和第二裸片,每个裸片包括钝化区域和多个导电接触区域,钝化区域包括多个突出电介质区域和多个窗口。相邻窗口由对应的突出电介质区域隔开,每个导电接触区域布置在对应的窗口内。表面安装型封装件容纳第一裸片和第二裸片。该封装件包括分别承载第一裸片和第二裸片的第一底部绝缘多层和第二底部绝缘多层。覆盖金属层布置在第一裸片和第二裸片的顶部,并且包括延伸到窗口中以与对应的导电接触区域电耦合的突出金属区域。此外,覆盖金属层形成介于突出金属区域之间以便覆盖对应的突出电介质区域的多个腔体。

基本信息
专利标题 :
功率半导体器件和封装件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920468185.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-04-09
授权号 :
CN209896058U
授权日 :
2020-01-03
发明人 :
C·G·斯特拉A·米诺蒂
申请人 :
意法半导体股份有限公司
申请人地址 :
意大利阿格拉布里安扎
代理机构 :
北京市金杜律师事务所
代理人 :
王茂华
优先权 :
CN201920468185.7
主分类号 :
H01L25/07
IPC分类号 :
H01L25/07  H01L23/495  H01L23/498  H01L23/31  H01L23/485  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件,例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/07
包含在H01L29/00组类型的器件
法律状态
2020-01-03 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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