功率半导体器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种功率半导体器件，包括N型衬底，N型衬底上设有N型外延层下部分，N型外延层下部分上部形成P基区下部分，N型外延层下部分上面设有N型外延层上部分，N型外延层上部分上部设有两个P基区上部分，其中一个P基区上部分中设有N+源区和P+源区，N+源区两侧的P基区上部分形成沟道，另一个P基区上部分设有绝缘介质层，绝缘介质层上设有多晶硅，多晶硅上设有栅极金属，N+源区和P+源区上设有源极金属，N型衬底的背面设有漏极金属；其中非有源区或栅极焊盘靠近有源区的边缘处不存在源极金属。本实用新型具有减小漏源电容，规避有源区与非有源区边界的位移电流，提高器件dVDS/dt能力等优点。
基本信息
专利标题 ：
功率半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122837813.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-18
授权号 ：
CN216250740U
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
高秀秀柯攀戴小平
申请人 ：
湖南国芯半导体科技有限公司
申请人地址 ：
湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼1楼101室
代理机构 ：
湖南兆弘专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
廖元宝
优先权 ：
CN202122837813.4
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/417 H01L21/336
法律状态
2022-04-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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